Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SIHA4N80E-GE3

SIHA4N80E-GE3

MOSFET N-CHAN 800V FP TO-220
Nomor Bagian
SIHA4N80E-GE3
Pabrikan/Merek
Seri
E
Status Bagian
Active
Kemasan
-
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-220-3 Full Pack
Paket Perangkat Pemasok
TO-220 Full Pack
Disipasi Daya (Maks)
69W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
800V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
1.27 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
32nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
622pF @ 100V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 36168 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SIHA4N80E-GE3
SIHA4N80E-GE3 Komponen elektronik
SIHA4N80E-GE3 Penjualan
SIHA4N80E-GE3 Pemasok
SIHA4N80E-GE3 Distributor
SIHA4N80E-GE3 Tabel data
SIHA4N80E-GE3 Foto
SIHA4N80E-GE3 Harga
SIHA4N80E-GE3 Menawarkan
SIHA4N80E-GE3 Harga terendah
SIHA4N80E-GE3 Mencari
SIHA4N80E-GE3 Pembelian
SIHA4N80E-GE3 Kepingan