Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SIHA120N60E-GE3

SIHA120N60E-GE3

MOSFET N-CHAN E SERIES 600V THIN
Nomor Bagian
SIHA120N60E-GE3
Pabrikan/Merek
Seri
E
Status Bagian
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-220-3 Full Pack
Paket Perangkat Pemasok
TO-220 Full Pack
Disipasi Daya (Maks)
34W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
600V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
45nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
1562pF @ 100V
Vgs (Maks)
±30V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 6600 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SIHA120N60E-GE3
SIHA120N60E-GE3 Komponen elektronik
SIHA120N60E-GE3 Penjualan
SIHA120N60E-GE3 Pemasok
SIHA120N60E-GE3 Distributor
SIHA120N60E-GE3 Tabel data
SIHA120N60E-GE3 Foto
SIHA120N60E-GE3 Harga
SIHA120N60E-GE3 Menawarkan
SIHA120N60E-GE3 Harga terendah
SIHA120N60E-GE3 Mencari
SIHA120N60E-GE3 Pembelian
SIHA120N60E-GE3 Kepingan