Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SIHA11N80E-GE3

SIHA11N80E-GE3

MOSFET N-CHAN 800V TO-220FP
Nomor Bagian
SIHA11N80E-GE3
Pabrikan/Merek
Seri
E
Status Bagian
Active
Kemasan
-
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-220-3 Full Pack
Paket Perangkat Pemasok
TO-220 Full Pack
Disipasi Daya (Maks)
34W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
800V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
440 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
88nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
1670pF @ 100V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 22700 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SIHA11N80E-GE3
SIHA11N80E-GE3 Komponen elektronik
SIHA11N80E-GE3 Penjualan
SIHA11N80E-GE3 Pemasok
SIHA11N80E-GE3 Distributor
SIHA11N80E-GE3 Tabel data
SIHA11N80E-GE3 Foto
SIHA11N80E-GE3 Harga
SIHA11N80E-GE3 Menawarkan
SIHA11N80E-GE3 Harga terendah
SIHA11N80E-GE3 Mencari
SIHA11N80E-GE3 Pembelian
SIHA11N80E-GE3 Kepingan