Beli ON Semiconductor NDD60N550U1-1G MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK-4

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

NDD60N550U1-1G

MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK-4

Nomor Bagian

NDD60N550U1-1G

Pabrikan/Merek

ON Semiconductor

Seri

Status Bagian

Last Time Buy

Kemasan

Tube

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Through Hole

Paket / Kasus

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Paket Perangkat Pemasok

IPAK (TO-251)

Disipasi Daya (Maks)

94W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

600V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

8.2A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

550 mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

18nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

540pF @ 50V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Vgs (Maks)

±25V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 32174 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

NDD60N360U1-1G

MOSFET N-CH 600V 114A IPAK