Beli ON Semiconductor NDD60N360U1-1G MOSFET N-CH 600V 114A IPAK

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

NDD60N360U1-1G

MOSFET N-CH 600V 114A IPAK

Nomor Bagian

NDD60N360U1-1G

Pabrikan/Merek

ON Semiconductor

Seri

Status Bagian

Obsolete

Kemasan

Tube

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Through Hole

Paket / Kasus

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Paket Perangkat Pemasok

I-PAK

Disipasi Daya (Maks)

114W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

600V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

11A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

360 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

26nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

790pF @ 50V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Vgs (Maks)

±25V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 37988 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

NDD60N360U1-1G

MOSFET N-CH 600V 114A IPAK