Beli ON Semiconductor FQI12N60CTU MOSFET N-CH 600V 12A I2PAK

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

FQI12N60CTU

MOSFET N-CH 600V 12A I2PAK

Nomor Bagian

FQI12N60CTU

Pabrikan/Merek

ON Semiconductor

Seri

QFET®

Status Bagian

Obsolete

Kemasan

Tube

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Through Hole

Paket / Kasus

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Paket Perangkat Pemasok

I2PAK (TO-262)

Disipasi Daya (Maks)

3.13W (Ta), 225W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

600V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

12A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

650 mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

63nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

2290pF @ 25V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Vgs (Maks)

±30V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 53199 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

FQI10N20CTU

MOSFET N-CH 200V 9.5A I2PAK