Beli ON Semiconductor FQI10N60CTU MOSFET N-CH 600V 9.5A I2PAK

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

FQI10N60CTU

MOSFET N-CH 600V 9.5A I2PAK

Nomor Bagian

FQI10N60CTU

Pabrikan/Merek

ON Semiconductor

Seri

QFET®

Status Bagian

Obsolete

Kemasan

Tube

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Through Hole

Paket / Kasus

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Paket Perangkat Pemasok

I2PAK (TO-262)

Disipasi Daya (Maks)

3.13W (Ta), 156W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

600V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

9.5A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

730 mOhm @ 4.75A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

57nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

2040pF @ 25V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Vgs (Maks)

±30V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 17859 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

FQI10N20CTU

MOSFET N-CH 200V 9.5A I2PAK