FQB33N10LTM
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Nomor Bagian
FQB33N10LTM
Pabrikan/Merek
Seri
QFET®
Status Bagian
Active
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paket Perangkat Pemasok
D²PAK (TO-263AB)
Disipasi Daya (Maks)
3.75W (Ta), 127W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
100V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
52 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
40nC @ 5V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
1630pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
5V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 53214 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari FQB33N10LTM
FQB33N10LTM Komponen elektronik
FQB33N10LTM Penjualan
FQB33N10LTM Pemasok
FQB33N10LTM Distributor
FQB33N10LTM Tabel data
FQB33N10LTM Foto
FQB33N10LTM Harga
FQB33N10LTM Menawarkan
FQB33N10LTM Harga terendah
FQB33N10LTM Mencari
FQB33N10LTM Pembelian
FQB33N10LTM Kepingan