FQB32N12V2TM
MOSFET N-CH 120V 32A D2PAK
Nomor Bagian
FQB32N12V2TM
Pabrikan/Merek
Seri
QFET®
Status Bagian
Obsolete
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paket Perangkat Pemasok
D²PAK (TO-263AB)
Disipasi Daya (Maks)
3.75W (Ta), 150W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
120V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
53nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
1860pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 21468 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari FQB32N12V2TM
FQB32N12V2TM Komponen elektronik
FQB32N12V2TM Penjualan
FQB32N12V2TM Pemasok
FQB32N12V2TM Distributor
FQB32N12V2TM Tabel data
FQB32N12V2TM Foto
FQB32N12V2TM Harga
FQB32N12V2TM Menawarkan
FQB32N12V2TM Harga terendah
FQB32N12V2TM Mencari
FQB32N12V2TM Pembelian
FQB32N12V2TM Kepingan