Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
IXFN80N60P3

IXFN80N60P3

MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B
Nomor Bagian
IXFN80N60P3
Pabrikan/Merek
Seri
HiPerFET™, Polar3™
Status Bagian
Active
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Chassis Mount
Paket / Kasus
SOT-227-4, miniBLOC
Paket Perangkat Pemasok
SOT-227B
Disipasi Daya (Maks)
960W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
600V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
66A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
70 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5V @ 8mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
190nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
13100pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 46122 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari IXFN80N60P3
IXFN80N60P3 Komponen elektronik
IXFN80N60P3 Penjualan
IXFN80N60P3 Pemasok
IXFN80N60P3 Distributor
IXFN80N60P3 Tabel data
IXFN80N60P3 Foto
IXFN80N60P3 Harga
IXFN80N60P3 Menawarkan
IXFN80N60P3 Harga terendah
IXFN80N60P3 Mencari
IXFN80N60P3 Pembelian
IXFN80N60P3 Kepingan