Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
IXFN100N10S2

IXFN100N10S2

MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
Nomor Bagian
IXFN100N10S2
Pabrikan/Merek
Seri
HiPerFET™
Status Bagian
Obsolete
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Chassis Mount
Paket / Kasus
SOT-227-4, miniBLOC
Paket Perangkat Pemasok
SOT-227B
Disipasi Daya (Maks)
360W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
100V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
15 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 4mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
180nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
4500pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 45829 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari IXFN100N10S2
IXFN100N10S2 Komponen elektronik
IXFN100N10S2 Penjualan
IXFN100N10S2 Pemasok
IXFN100N10S2 Distributor
IXFN100N10S2 Tabel data
IXFN100N10S2 Foto
IXFN100N10S2 Harga
IXFN100N10S2 Menawarkan
IXFN100N10S2 Harga terendah
IXFN100N10S2 Mencari
IXFN100N10S2 Pembelian
IXFN100N10S2 Kepingan