Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
IXFN100N10S1

IXFN100N10S1

MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
Nomor Bagian
IXFN100N10S1
Pabrikan/Merek
Seri
HiPerFET™
Status Bagian
Obsolete
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Chassis Mount
Paket / Kasus
SOT-227-4, miniBLOC
Paket Perangkat Pemasok
SOT-227B
Disipasi Daya (Maks)
360W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
100V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
15 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 4mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
180nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
4500pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 38272 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari IXFN100N10S1
IXFN100N10S1 Komponen elektronik
IXFN100N10S1 Penjualan
IXFN100N10S1 Pemasok
IXFN100N10S1 Distributor
IXFN100N10S1 Tabel data
IXFN100N10S1 Foto
IXFN100N10S1 Harga
IXFN100N10S1 Menawarkan
IXFN100N10S1 Harga terendah
IXFN100N10S1 Mencari
IXFN100N10S1 Pembelian
IXFN100N10S1 Kepingan