Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
IXFN66N50Q2

IXFN66N50Q2

MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B
Nomor Bagian
IXFN66N50Q2
Pabrikan/Merek
Seri
HiPerFET™
Status Bagian
Obsolete
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Chassis Mount
Paket / Kasus
SOT-227-4, miniBLOC
Paket Perangkat Pemasok
SOT-227B
Disipasi Daya (Maks)
735W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
500V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
66A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
80 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4.5V @ 8mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
199nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
6800pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 53402 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari IXFN66N50Q2
IXFN66N50Q2 Komponen elektronik
IXFN66N50Q2 Penjualan
IXFN66N50Q2 Pemasok
IXFN66N50Q2 Distributor
IXFN66N50Q2 Tabel data
IXFN66N50Q2 Foto
IXFN66N50Q2 Harga
IXFN66N50Q2 Menawarkan
IXFN66N50Q2 Harga terendah
IXFN66N50Q2 Mencari
IXFN66N50Q2 Pembelian
IXFN66N50Q2 Kepingan