IXFN50N80Q2
MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B
Nomor Bagian
IXFN50N80Q2
Pabrikan/Merek
Seri
HiPerFET™
Status Bagian
Active
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Chassis Mount
Paket / Kasus
SOT-227-4, miniBLOC
Paket Perangkat Pemasok
SOT-227B
Disipasi Daya (Maks)
1135W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
800V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
160 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5.5V @ 8mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
260nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
13500pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 34434 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari IXFN50N80Q2
IXFN50N80Q2 Komponen elektronik
IXFN50N80Q2 Penjualan
IXFN50N80Q2 Pemasok
IXFN50N80Q2 Distributor
IXFN50N80Q2 Tabel data
IXFN50N80Q2 Foto
IXFN50N80Q2 Harga
IXFN50N80Q2 Menawarkan
IXFN50N80Q2 Harga terendah
IXFN50N80Q2 Mencari
IXFN50N80Q2 Pembelian
IXFN50N80Q2 Kepingan