Beli Infineon Technologies IRL60S216 MOSFET N-CH 60V 195A

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

IRL60S216

MOSFET N-CH 60V 195A

Nomor Bagian

IRL60S216

Pabrikan/Merek

Infineon Technologies

Seri

HEXFET®, StrongIRFET™

Status Bagian

Active

Kemasan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Paket Perangkat Pemasok

D2PAK

Disipasi Daya (Maks)

375W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

60V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

195A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

1.95 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2.4V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

255nC @ 4.5V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

15330pF @ 25V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

4.5V, 10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 50853 PCS

Kontak informasi