Beli Infineon Technologies IRL60B216 MOSFET N-CH 60V 195A

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

IRL60B216

MOSFET N-CH 60V 195A

Nomor Bagian

IRL60B216

Pabrikan/Merek

Infineon Technologies

Seri

HEXFET®, StrongIRFET™

Status Bagian

Active

Kemasan

Tube

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Through Hole

Paket / Kasus

TO-220-3

Paket Perangkat Pemasok

TO-220AB

Disipasi Daya (Maks)

375W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

60V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

195A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

1.9 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2.4V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

258nC @ 4.5V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

15570pF @ 25V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

4.5V, 10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 44881 PCS

Kontak informasi