Beli Infineon Technologies IRF100S201 MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

IRF100S201

MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK

Nomor Bagian

IRF100S201

Pabrikan/Merek

Infineon Technologies

Seri

HEXFET®, StrongIRFET™

Status Bagian

Active

Kemasan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Paket Perangkat Pemasok

D²PAK (TO-263AB)

Disipasi Daya (Maks)

441W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

100V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

192A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

4.2 mOhm @ 115A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

255nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

9500pF @ 50V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 24696 PCS

Kontak informasi