Beli Infineon Technologies IRF100P219XKMA1 TRENCH_MOSFETS

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

IRF100P219XKMA1

TRENCH_MOSFETS

Nomor Bagian

IRF100P219XKMA1

Pabrikan/Merek

Infineon Technologies

Seri

StrongIRFET™

Status Bagian

Active

Kemasan

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Through Hole

Paket / Kasus

TO-247-3

Paket Perangkat Pemasok

TO-247AC

Disipasi Daya (Maks)

341W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

100V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

1.7 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

3.8V @ 278µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

270nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

12020pF @ 50V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

6V, 10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 21144 PCS

Kontak informasi