Beli Infineon Technologies BSB012N03LX3 G MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

BSB012N03LX3 G

MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON

Nomor Bagian

BSB012N03LX3 G

Pabrikan/Merek

Infineon Technologies

Seri

OptiMOS™

Status Bagian

Obsolete

Kemasan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

3-WDSON

Paket Perangkat Pemasok

MG-WDSON-2, CanPAK M™

Disipasi Daya (Maks)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

30V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

39A (Ta), 180A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

1.2 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2.2V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

169nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

16900pF @ 15V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

4.5V, 10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 14868 PCS

Kontak informasi