Beli Infineon Technologies BSB008NE2LXXUMA1 MOSFET N-CH 25V 46A 2WDSON

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

BSB008NE2LXXUMA1

MOSFET N-CH 25V 46A 2WDSON

Nomor Bagian

BSB008NE2LXXUMA1

Pabrikan/Merek

Infineon Technologies

Seri

OptiMOS™

Status Bagian

Active

Kemasan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

3-WDSON

Paket Perangkat Pemasok

MG-WDSON-2, CanPAK M™

Disipasi Daya (Maks)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

25V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

46A (Ta), 180A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

0.8 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

343nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

16000pF @ 12V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

4.5V, 10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke chen_hx1688@hotmail.com, kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 23742 PCS

Kontak informasi