Beli Vishay Siliconix SUP60030E-GE3 MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

SUP60030E-GE3

MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB

Nomor Bagian

SUP60030E-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Active

Kemasan

Bulk

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Through Hole

Paket / Kasus

TO-220-3

Paket Perangkat Pemasok

TO-220AB

Disipasi Daya (Maks)

375W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

80V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

120A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

3.4 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

141nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

7910pF @ 40V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

7.5V, 10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 9794 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SUP60030E-GE3

MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB