Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SQS850EN-T1_GE3

SQS850EN-T1_GE3

MOSFET N-CH 60V 12A POWERPAK1212
Nomor Bagian
SQS850EN-T1_GE3
Pabrikan/Merek
Seri
-
Status Bagian
Active
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
PowerPAK® 1212-8
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® 1212-8
Disipasi Daya (Maks)
33W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
60V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
21.5 mOhm @ 6.1A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
41nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
2021pF @ 30V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
4.5V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 36888 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SQS850EN-T1_GE3
SQS850EN-T1_GE3 Komponen elektronik
SQS850EN-T1_GE3 Penjualan
SQS850EN-T1_GE3 Pemasok
SQS850EN-T1_GE3 Distributor
SQS850EN-T1_GE3 Tabel data
SQS850EN-T1_GE3 Foto
SQS850EN-T1_GE3 Harga
SQS850EN-T1_GE3 Menawarkan
SQS850EN-T1_GE3 Harga terendah
SQS850EN-T1_GE3 Mencari
SQS850EN-T1_GE3 Pembelian
SQS850EN-T1_GE3 Kepingan