Beli Vishay Siliconix SQD10N30-330H_GE3 MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

SQD10N30-330H_GE3

MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA

Nomor Bagian

SQD10N30-330H_GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Status Bagian

Active

Kemasan

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Paket Perangkat Pemasok

TO-252AA

Disipasi Daya (Maks)

107W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

300V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

10A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

330 mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4.4V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

47nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

2190pF @ 25V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Vgs (Maks)

±30V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 42425 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SQD100N02-3M5L_GE3

MOSFET N-CH 20V 100A TO252AA