Beli Vishay Siliconix SISH617DN-T1-GE3 MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

SISH617DN-T1-GE3

MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Nomor Bagian

SISH617DN-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Active

Kemasan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

PowerPAK® 1212-8S

Paket Perangkat Pemasok

PowerPAK® 1212-8S

Disipasi Daya (Maks)

3.7W (Ta), 52W (Tc)

Tipe FET

P-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

30V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

13.9A (Ta), 35A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

12.3 mOhm @ 13.9A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2.5V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

59nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

1800pF @ 15V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

4.5V, 10V

Vgs (Maks)

±25V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 47494 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SISH106DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH