Beli Vishay Siliconix SISH106DN-T1-GE3 MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

SISH106DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

Nomor Bagian

SISH106DN-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Active

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

PowerPAK® 1212-8SH

Paket Perangkat Pemasok

PowerPAK® 1212-8SH

Disipasi Daya (Maks)

1.5W (Ta)

Tipe FET

N-Channel

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

20V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

12.5A (Ta)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

6.2 mOhm @ 19.5A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ Id

1.5V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

27nC @ 4.5V

Vgs (Maks)

±12V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

2.5V, 4.5V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 30179 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SISH106DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH