Beli Vishay Siliconix SISH410DN-T1-GE3 MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

SISH410DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

Nomor Bagian

SISH410DN-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Active

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

PowerPAK® 1212-8SH

Paket Perangkat Pemasok

PowerPAK® 1212-8SH

Disipasi Daya (Maks)

3.8W (Ta), 52W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

20V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

22A (Ta), 35A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

4.8 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2.5V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

41nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

1600pF @ 10V

Vgs (Maks)

±20V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

4.5V, 10V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 49414 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SISH106DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH