Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SIS892DN-T1-GE3

SIS892DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK
Nomor Bagian
SIS892DN-T1-GE3
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET®
Status Bagian
Active
Kemasan
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
PowerPAK® 1212-8
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® 1212-8
Disipasi Daya (Maks)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
100V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
29 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
21.5nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
611pF @ 50V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
4.5V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 9444 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SIS892DN-T1-GE3
SIS892DN-T1-GE3 Komponen elektronik
SIS892DN-T1-GE3 Penjualan
SIS892DN-T1-GE3 Pemasok
SIS892DN-T1-GE3 Distributor
SIS892DN-T1-GE3 Tabel data
SIS892DN-T1-GE3 Foto
SIS892DN-T1-GE3 Harga
SIS892DN-T1-GE3 Menawarkan
SIS892DN-T1-GE3 Harga terendah
SIS892DN-T1-GE3 Mencari
SIS892DN-T1-GE3 Pembelian
SIS892DN-T1-GE3 Kepingan