Beli Vishay Siliconix SIS888DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

SIS888DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S

Nomor Bagian

SIS888DN-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

ThunderFET®

Status Bagian

Active

Kemasan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TA)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

PowerPAK® 1212-8S

Paket Perangkat Pemasok

PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)

Disipasi Daya (Maks)

52W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

150V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

20.2A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

58 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4.2V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

14.5nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

420pF @ 75V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

7.5V, 10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke chen_hx1688@hotmail.com, kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 50345 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SIS822DNT-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A POWERPAK1212