Beli Vishay Siliconix SIS892ADN-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 28A PPAK 1212

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

SIS892ADN-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 28A PPAK 1212

Nomor Bagian

SIS892ADN-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Active

Kemasan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

PowerPAK® 1212-8

Paket Perangkat Pemasok

PowerPAK® 1212-8

Disipasi Daya (Maks)

3.7W (Ta), 52W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

100V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

28A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

33 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

3V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

19.5nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

550pF @ 50V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

4.5V, 10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 31636 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SIS822DNT-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A POWERPAK1212