Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SIS427EDN-T1-GE3

SIS427EDN-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8
Nomor Bagian
SIS427EDN-T1-GE3
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET®
Status Bagian
Active
Kemasan
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
PowerPAK® 1212-8
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® 1212-8
Disipasi Daya (Maks)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Tipe FET
P-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
30V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
10.6 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
66nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
1930pF @ 15V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
4.5V, 10V
Vgs (Maks)
±25V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 7049 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SIS427EDN-T1-GE3
SIS427EDN-T1-GE3 Komponen elektronik
SIS427EDN-T1-GE3 Penjualan
SIS427EDN-T1-GE3 Pemasok
SIS427EDN-T1-GE3 Distributor
SIS427EDN-T1-GE3 Tabel data
SIS427EDN-T1-GE3 Foto
SIS427EDN-T1-GE3 Harga
SIS427EDN-T1-GE3 Menawarkan
SIS427EDN-T1-GE3 Harga terendah
SIS427EDN-T1-GE3 Mencari
SIS427EDN-T1-GE3 Pembelian
SIS427EDN-T1-GE3 Kepingan