Beli Vishay Siliconix SIS402DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

SIS402DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Nomor Bagian

SIS402DN-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Active

Kemasan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

PowerPAK® 1212-8

Paket Perangkat Pemasok

PowerPAK® 1212-8

Disipasi Daya (Maks)

3.8W (Ta), 52W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

30V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

35A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

6 mOhm @ 19A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2.2V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

42nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

1700pF @ 15V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

4.5V, 10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 40876 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SIS402DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8