Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SIS410DN-T1-GE3

SIS410DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
Nomor Bagian
SIS410DN-T1-GE3
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET®
Status Bagian
Active
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
PowerPAK® 1212-8
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® 1212-8
Disipasi Daya (Maks)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
20V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
4.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
41nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
1600pF @ 10V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
4.5V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 41372 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SIS410DN-T1-GE3
SIS410DN-T1-GE3 Komponen elektronik
SIS410DN-T1-GE3 Penjualan
SIS410DN-T1-GE3 Pemasok
SIS410DN-T1-GE3 Distributor
SIS410DN-T1-GE3 Tabel data
SIS410DN-T1-GE3 Foto
SIS410DN-T1-GE3 Harga
SIS410DN-T1-GE3 Menawarkan
SIS410DN-T1-GE3 Harga terendah
SIS410DN-T1-GE3 Mencari
SIS410DN-T1-GE3 Pembelian
SIS410DN-T1-GE3 Kepingan