Beli Vishay Siliconix SIS110DN-T1-GE3 MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

SIS110DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

Nomor Bagian

SIS110DN-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET® Gen IV

Status Bagian

Active

Kemasan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

PowerPAK® 1212-8

Paket Perangkat Pemasok

PowerPAK® 1212-8

Disipasi Daya (Maks)

3.2W (Ta), 24W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

100V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

5.2A (Ta), 14.2A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

54 mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

13nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

550pF @ 50V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

7.5V, 10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 43110 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SIS106DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK 1212-