Beli Vishay Siliconix SIRC10DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

SIRC10DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Nomor Bagian

SIRC10DP-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET® Gen IV

Status Bagian

Active

Kemasan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

PowerPAK® SO-8

Paket Perangkat Pemasok

PowerPAK® SO-8

Disipasi Daya (Maks)

43W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Schottky Diode (Isolated)

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

30V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

60A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

3.5 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2.4V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

36nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

1873pF @ 15V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

4.5V, 10V

Vgs (Maks)

+20V, -16V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 40698 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SIRC04DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8