Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SIRA26DP-T1-RE3

SIRA26DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8
Nomor Bagian
SIRA26DP-T1-RE3
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET® Gen IV
Status Bagian
Active
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
PowerPAK® SO-8
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® SO-8
Disipasi Daya (Maks)
43.1W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
25V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
2.65 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
44nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
2247pF @ 10V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
4.5V, 10V
Vgs (Maks)
+16V, -12V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 39003 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SIRA26DP-T1-RE3
SIRA26DP-T1-RE3 Komponen elektronik
SIRA26DP-T1-RE3 Penjualan
SIRA26DP-T1-RE3 Pemasok
SIRA26DP-T1-RE3 Distributor
SIRA26DP-T1-RE3 Tabel data
SIRA26DP-T1-RE3 Foto
SIRA26DP-T1-RE3 Harga
SIRA26DP-T1-RE3 Menawarkan
SIRA26DP-T1-RE3 Harga terendah
SIRA26DP-T1-RE3 Mencari
SIRA26DP-T1-RE3 Pembelian
SIRA26DP-T1-RE3 Kepingan