Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SIRA00DP-T1-GE3

SIRA00DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Nomor Bagian
SIRA00DP-T1-GE3
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET®
Status Bagian
Active
Kemasan
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
PowerPAK® SO-8
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® SO-8
Disipasi Daya (Maks)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
30V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
1 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.2V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
220nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
11700pF @ 15V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
4.5V, 10V
Vgs (Maks)
+20V, -16V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 34528 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SIRA00DP-T1-GE3
SIRA00DP-T1-GE3 Komponen elektronik
SIRA00DP-T1-GE3 Penjualan
SIRA00DP-T1-GE3 Pemasok
SIRA00DP-T1-GE3 Distributor
SIRA00DP-T1-GE3 Tabel data
SIRA00DP-T1-GE3 Foto
SIRA00DP-T1-GE3 Harga
SIRA00DP-T1-GE3 Menawarkan
SIRA00DP-T1-GE3 Harga terendah
SIRA00DP-T1-GE3 Mencari
SIRA00DP-T1-GE3 Pembelian
SIRA00DP-T1-GE3 Kepingan