Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SIJ800DP-T1-GE3

SIJ800DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8
Nomor Bagian
SIJ800DP-T1-GE3
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET®
Status Bagian
Active
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
PowerPAK® SO-8
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® SO-8
Disipasi Daya (Maks)
4.2W (Ta), 35.7W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
40V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
9.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
56nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
2400pF @ 20V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
4.5V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 39555 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SIJ800DP-T1-GE3
SIJ800DP-T1-GE3 Komponen elektronik
SIJ800DP-T1-GE3 Penjualan
SIJ800DP-T1-GE3 Pemasok
SIJ800DP-T1-GE3 Distributor
SIJ800DP-T1-GE3 Tabel data
SIJ800DP-T1-GE3 Foto
SIJ800DP-T1-GE3 Harga
SIJ800DP-T1-GE3 Menawarkan
SIJ800DP-T1-GE3 Harga terendah
SIJ800DP-T1-GE3 Mencari
SIJ800DP-T1-GE3 Pembelian
SIJ800DP-T1-GE3 Kepingan