Beli Vishay Siliconix SIJ186DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 60V PPAK SO-8L

Cina
Pemasok komponen elektronik profesional

Katalog Pabrikan CN ICs

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

SIJ186DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V PPAK SO-8L

Nomor Bagian

SIJ186DP-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET® Gen IV

Status Bagian

Active

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

PowerPAK® SO-8

Paket Perangkat Pemasok

PowerPAK® SO-8

Disipasi Daya (Maks)

5W (Ta), 57W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

60V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

23A (Ta), 79.4A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

4.5 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

3.6V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

37nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

1710pF @ 30V

Vgs (Maks)

±20V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

6V, 10V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 23405 PCS

Kontak informasi