SIHFR1N60A-GE3
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252AA
Nomor Bagian
SIHFR1N60A-GE3
Pabrikan/Merek
Seri
-
Status Bagian
Active
Kemasan
-
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paket Perangkat Pemasok
TO-252AA
Disipasi Daya (Maks)
36W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
600V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
7 Ohm @ 840mA, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
14nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
229pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 21030 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari SIHFR1N60A-GE3
SIHFR1N60A-GE3 Komponen elektronik
SIHFR1N60A-GE3 Penjualan
SIHFR1N60A-GE3 Pemasok
SIHFR1N60A-GE3 Distributor
SIHFR1N60A-GE3 Tabel data
SIHFR1N60A-GE3 Foto
SIHFR1N60A-GE3 Harga
SIHFR1N60A-GE3 Menawarkan
SIHFR1N60A-GE3 Harga terendah
SIHFR1N60A-GE3 Mencari
SIHFR1N60A-GE3 Pembelian
SIHFR1N60A-GE3 Kepingan