Beli Vishay Siliconix SIDR626DP-T1-GE3 MOSFET N-CHAN 60V

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

SIDR626DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 60V

Nomor Bagian

SIDR626DP-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET® Gen IV

Status Bagian

Active

Kemasan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

PowerPAK® SO-8

Paket Perangkat Pemasok

PowerPAK® SO-8DC

Disipasi Daya (Maks)

6.25W (Ta), 125W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

60V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

42.8A (Ta), 100A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

1.7 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

3.4V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

102nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

5130pF @ 30V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

6V, 10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke chen_hx1688@hotmail.com, kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 28109 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SIDR140DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC