Beli Vishay Siliconix SIDR140DP-T1-GE3 MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

SIDR140DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC

Nomor Bagian

SIDR140DP-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET® Gen IV

Status Bagian

Active

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

PowerPAK® SO-8

Paket Perangkat Pemasok

PowerPAK® SO-8DC

Disipasi Daya (Maks)

6.25W (Ta), 125W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

25V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

79A (Ta), 100A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

0.67 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2.1V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

170nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

8150pF @ 10V

Vgs (Maks)

+20V, -16V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

4.5V, 10V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 39057 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SIDR140DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC