Beli Vishay Siliconix SIDR610DP-T1-GE3 MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

SIDR610DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC

Nomor Bagian

SIDR610DP-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Active

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

PowerPAK® SO-8

Paket Perangkat Pemasok

PowerPAK® SO-8DC

Disipasi Daya (Maks)

6.25W (Ta), 125W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

200V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

8.9A (Ta), 39.6A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

31.9 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

38nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

1380pF @ 100V

Vgs (Maks)

±20V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

7.5V, 10V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 20257 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SIDR140DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC