Beli Vishay Siliconix SIAA00DJ-T1-GE3 MOSFET N-CHAN 25V

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

SIAA00DJ-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V

Nomor Bagian

SIAA00DJ-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET® Gen IV

Status Bagian

Active

Kemasan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

PowerPAK® SC-70-6

Paket Perangkat Pemasok

PowerPAK® SC-70-6 Single

Disipasi Daya (Maks)

3.5W (Ta), 19.2W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

25V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

20.1A (Ta), 40A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

5.6 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2.5V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

24nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

1090pF @ 12.5V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

4.5V, 10V

Vgs (Maks)

+16V, -12V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 44225 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SIAA00DJ-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V