Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SI8851EDB-T2-E1

SI8851EDB-T2-E1

MOSFET P-CH 20V 7.7A MICRO FOOT
Nomor Bagian
SI8851EDB-T2-E1
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET®
Status Bagian
Active
Kemasan
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
30-XFBGA
Paket Perangkat Pemasok
Power Micro Foot® (2.4x2)
Disipasi Daya (Maks)
660mW (Ta)
Tipe FET
P-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
20V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
7.7A (Ta)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
8 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
1V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
180nC @ 8V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
6900pF @ 10V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
1.8V, 4.5V
Vgs (Maks)
±8V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 12739 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SI8851EDB-T2-E1
SI8851EDB-T2-E1 Komponen elektronik
SI8851EDB-T2-E1 Penjualan
SI8851EDB-T2-E1 Pemasok
SI8851EDB-T2-E1 Distributor
SI8851EDB-T2-E1 Tabel data
SI8851EDB-T2-E1 Foto
SI8851EDB-T2-E1 Harga
SI8851EDB-T2-E1 Menawarkan
SI8851EDB-T2-E1 Harga terendah
SI8851EDB-T2-E1 Mencari
SI8851EDB-T2-E1 Pembelian
SI8851EDB-T2-E1 Kepingan