Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SI8800EDB-T2-E1

SI8800EDB-T2-E1

MOSFET N-CH 20V MICROFOOT
Nomor Bagian
SI8800EDB-T2-E1
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET®
Status Bagian
Active
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
4-XFBGA, CSPBGA
Paket Perangkat Pemasok
4-Microfoot
Disipasi Daya (Maks)
500mW (Ta)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
20V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
-
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
80 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
1V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
8.3nC @ 8V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
-
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
1.5V, 4.5V
Vgs (Maks)
±8V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 26429 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SI8800EDB-T2-E1
SI8800EDB-T2-E1 Komponen elektronik
SI8800EDB-T2-E1 Penjualan
SI8800EDB-T2-E1 Pemasok
SI8800EDB-T2-E1 Distributor
SI8800EDB-T2-E1 Tabel data
SI8800EDB-T2-E1 Foto
SI8800EDB-T2-E1 Harga
SI8800EDB-T2-E1 Menawarkan
SI8800EDB-T2-E1 Harga terendah
SI8800EDB-T2-E1 Mencari
SI8800EDB-T2-E1 Pembelian
SI8800EDB-T2-E1 Kepingan