Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SI8823EDB-T2-E1

SI8823EDB-T2-E1

MOSFET P-CH 20V 2.7A 4-MICROFOOT
Nomor Bagian
SI8823EDB-T2-E1
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET® Gen III
Status Bagian
Active
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
4-XFBGA
Paket Perangkat Pemasok
4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Disipasi Daya (Maks)
900mW (Tc)
Tipe FET
P-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
20V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
2.7A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
95 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
800mV @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
10nC @ 4.5V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
580pF @ 10V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
1.5V, 4.5V
Vgs (Maks)
±8V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 25531 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SI8823EDB-T2-E1
SI8823EDB-T2-E1 Komponen elektronik
SI8823EDB-T2-E1 Penjualan
SI8823EDB-T2-E1 Pemasok
SI8823EDB-T2-E1 Distributor
SI8823EDB-T2-E1 Tabel data
SI8823EDB-T2-E1 Foto
SI8823EDB-T2-E1 Harga
SI8823EDB-T2-E1 Menawarkan
SI8823EDB-T2-E1 Harga terendah
SI8823EDB-T2-E1 Mencari
SI8823EDB-T2-E1 Pembelian
SI8823EDB-T2-E1 Kepingan