Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SI8821EDB-T2-E1

SI8821EDB-T2-E1

MOSFET P-CH 30V MICRO FOOT
Nomor Bagian
SI8821EDB-T2-E1
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET®
Status Bagian
Active
Kemasan
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
4-XFBGA, CSPBGA
Paket Perangkat Pemasok
4-Microfoot
Disipasi Daya (Maks)
500mW (Ta)
Tipe FET
P-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
30V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
-
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
135 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
1.3V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
17nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
440pF @ 15V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
2.5V, 4.5V
Vgs (Maks)
±12V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 13374 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SI8821EDB-T2-E1
SI8821EDB-T2-E1 Komponen elektronik
SI8821EDB-T2-E1 Penjualan
SI8821EDB-T2-E1 Pemasok
SI8821EDB-T2-E1 Distributor
SI8821EDB-T2-E1 Tabel data
SI8821EDB-T2-E1 Foto
SI8821EDB-T2-E1 Harga
SI8821EDB-T2-E1 Menawarkan
SI8821EDB-T2-E1 Harga terendah
SI8821EDB-T2-E1 Mencari
SI8821EDB-T2-E1 Pembelian
SI8821EDB-T2-E1 Kepingan