Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SI8817DB-T2-E1

SI8817DB-T2-E1

MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
Nomor Bagian
SI8817DB-T2-E1
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET®
Status Bagian
Active
Kemasan
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
4-XFBGA
Paket Perangkat Pemasok
4-Microfoot
Disipasi Daya (Maks)
500mW (Ta)
Tipe FET
P-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
20V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
-
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
76 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
1V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
19nC @ 8V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
615pF @ 10V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
1.5V, 4.5V
Vgs (Maks)
±8V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 40722 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SI8817DB-T2-E1
SI8817DB-T2-E1 Komponen elektronik
SI8817DB-T2-E1 Penjualan
SI8817DB-T2-E1 Pemasok
SI8817DB-T2-E1 Distributor
SI8817DB-T2-E1 Tabel data
SI8817DB-T2-E1 Foto
SI8817DB-T2-E1 Harga
SI8817DB-T2-E1 Menawarkan
SI8817DB-T2-E1 Harga terendah
SI8817DB-T2-E1 Mencari
SI8817DB-T2-E1 Pembelian
SI8817DB-T2-E1 Kepingan