Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SI8812DB-T2-E1

SI8812DB-T2-E1

MOSFET N-CH 20V MICROFOOT
Nomor Bagian
SI8812DB-T2-E1
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET®
Status Bagian
Active
Kemasan
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
4-UFBGA
Paket Perangkat Pemasok
4-Microfoot
Disipasi Daya (Maks)
500mW (Ta)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
20V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
-
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
59 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
1V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
17nC @ 8V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
-
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
1.2V, 4.5V
Vgs (Maks)
±5V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 49231 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SI8812DB-T2-E1
SI8812DB-T2-E1 Komponen elektronik
SI8812DB-T2-E1 Penjualan
SI8812DB-T2-E1 Pemasok
SI8812DB-T2-E1 Distributor
SI8812DB-T2-E1 Tabel data
SI8812DB-T2-E1 Foto
SI8812DB-T2-E1 Harga
SI8812DB-T2-E1 Menawarkan
SI8812DB-T2-E1 Harga terendah
SI8812DB-T2-E1 Mencari
SI8812DB-T2-E1 Pembelian
SI8812DB-T2-E1 Kepingan