Beli Vishay Siliconix SI8812DB-T2-E1 MOSFET N-CH 20V MICROFOOT

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

SI8812DB-T2-E1

MOSFET N-CH 20V MICROFOOT

Nomor Bagian

SI8812DB-T2-E1

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Active

Kemasan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

4-UFBGA

Paket Perangkat Pemasok

4-Microfoot

Disipasi Daya (Maks)

500mW (Ta)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

20V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

59 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ Id

1V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

17nC @ 8V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

1.2V, 4.5V

Vgs (Maks)

±5V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke chen_hx1688@hotmail.com, kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 8649 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SI8800EDB-T2-E1

MOSFET N-CH 20V MICROFOOT